测试主机
GaN
Power Device
QT-8400 由测试主机与测试站 Test Kit 组成，
其中 Test Kit 分为两种：Power Device Test Kit & GaN Test Kit。
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Power Device Test Kit
面向 MOSFET/SIC、二极管、三极管等 CP 测试需求的 Power Device Test Kit.
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GaN Test Kit
面向氮化镓测试需求的 GaN Test Kit.
站坐快速切换
用户体验
* 已申请专利
站坐快速切换
用户体验
* 已申请专利
QT-8400 GaN |
QT-8400 D |
测试范围专用于氮化镓动静态电参数测试 |
测试范围专用于 MOSFET/SIC 、二极管、三极管、IGBT等 CP测试。 |
参数指标
悬浮 V/I 源 |
参数指标
悬浮 V/I 源 |
并行测试数2/4/8/16 Site |
并行测试数2/4/8/16 Site |
可扩展动态模组
LCR测试模组（CG） |
可扩展动态模组
雪崩测试模组（UIS、EAS） |
可扩展高压/直流模组最高可扩展8KV, 2KA |
可扩展高压/直流模组最高可扩展8KV, 2KA |
精准测量Power Device Test Kit内置精密测量电路，实现nA级和mΩ级的精准测量。 |
精准测量GaN Test Kit内置精密测量电路，实现nA级和mΩ级的精准测量。 |
内置示波器图
AWG编辑器
专为测试&生产而设计
* 已申请专利
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中国广东省佛山市南海国家高新区新光源产业基地光明大道16号 |
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0757 83207313 (销售) |
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0757 83208786 (销售) |
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info@powertechsemi.com |
